Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Книжкові видання та компакт-диски (2)Реферативна база даних (12)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Беркутов И$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Беркутов И. Б. 
Интерференционные эффекты в кремний-германиевых гетероструктурах с квантовыми ямами различной ширины [Електронний ресурс] / И. Б. Беркутов, В. В. Андриевский, Ю. Ф. Комник, Ю. А. Колесниченко, А. И. Беркутова, Д. Р. Ледли, О. А. Миронов // Физика низких температур. - 2016. - Т. 42, № 2. - С. 149-158. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2016_42_2_10
Изучены эффекты слабой локализации и взаимодействия носителей заряда в двух дырочных гетероструктурах Si0,7Ge0,3/Si0,2Ge0,8/Si0,7Ge0,3, в которых заселенными являются соответственно один или два квантовых уровня. В слабых магнитных полях обнаружено проявление эффекта слабой локализации двумерных носителей заряда в условиях близости времени спин-орбитального рассеяния и времени неупругого рассеяния, что свидетельствует о расщеплении спиновых состояний под влиянием возмущающего потенциала, связанного с формированием двумерной потенциальной ямы (механизм Рашбы). В более сильных магнитных полях в случае заселения одного квантового уровня проявляются эффекты взаимодействия, обусловленные кулоновским взаимодействием с рассеивателем. В случае заселения двух квантовых уровней доминирующим оказывается механизм рассеяния на фриделевских осцилляциях плотности носителей заряда, обусловленных электрическим полем примеси. Во всех областях поведение квантовых поправок хорошо соответствует современным теоретическим предсказаниям.
Попередній перегляд:   Завантажити - 3.16 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Лень Т. А. 
Магнитосопротивление наноуглеродных материалов на основе углеродных нанотрубок [Електронний ресурс] / Т. А. Лень, Л. Ю. Мацуй, И. В. Овсиенко, Ю. И. Прилуцкий, В. В. Андриевский, И. Б. Беркутов, Г. Е. Гречнев, Ю. А. Колесниченко // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 9-10. - С. 1027-1032. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_9-10_20
Представлены результаты экспериментальных исследований магнитосопротивления наноуглеродного материала (НУМ), содержащего углеродные нанотрубки, в магнитном поле до 5 Тл и температуре до 0,54 K. Полученные экспериментальные кривые магнитосопротивления НУМ удовлетворительно описываются в рамках эффекта сжатия волновой функции локализованного состояния в магнитном поле и спин-поляризационного механизма.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.471 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Беркутов И. Б. 
Квантовые эффекты в германиевой квантовой яме со сверхвысокой подвижностью носителей заряда [Електронний ресурс] / И. Б. Беркутов, В. В. Андриевский, Ю. А. Колесниченко, О. А. Миронов // Фізика низьких температур. - 2019. - Т. 45, Вип. 11. - С. 1415-1422. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2019_45_11_12
Проведено комплексне дослідження квантових ефектів у дірковій гетероструктурі Si0,2Ge0,8/Ge/Si0,2Ge0,8, що має дуже високу рухливість вільних носіїв заряду: <$E mu sub H~=~1367000~roman {см sup 2 "/" (В~cdot~с)}>. На підставі аналізу магнітоквантових осциляцій Шубнікова-де Гааза визначено ефективну масу носіїв заряду, яка виявилася дуже малою (m<^>* = 0,062m0), а також величину флуктуації концентрації дірок уздовж каналу <$E delta p~=~3,5~cdot~10 sup 9~roman см sup -2>. У сильних магнітних полях виявлено прояв дробового ефекту Холла (з числами заповнення 8/3, 7/3, 5/3, 4/3), який спостерігався при температурах майже до 5 К. Дослідження квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації та електрон-електронної взаємодії носіїв заряду, що проведено у такій високорухливій системі вперше, дозволив розрахувати значення спінового розщеплення <$E DELTA~=~1,07> меВ та константи взаємодії <$E F sub 0 sup sigma~=~-0,12>, які є узгодженими з одержаними раніш результатами.Проведено комплексне дослідження квантових ефектів у дірковій гетероструктурі Si0,2Ge0,8/Ge/Si0,2Ge0,8, що має дуже високу рухливість вільних носіїв заряду: <$E mu sub H~=~1367000~roman {см sup 2 "/" (В~cdot~с)}>. На підставі аналізу магнітоквантових осциляцій Шубнікова-де Гааза визначено ефективну масу носіїв заряду, яка виявилася дуже малою (m<^>* = 0,062m0), а також величину флуктуації концентрації дірок уздовж каналу <$E delta p~=~3,5~cdot~10 sup 9~roman см sup -2>. У сильних магнітних полях виявлено прояв дробового ефекту Холла (з числами заповнення 8/3, 7/3, 5/3, 4/3), який спостерігався при температурах майже до 5 К. Дослідження квантових інтерференційних ефектів слабкої локалізації та електрон-електронної взаємодії носіїв заряду, що проведено у такій високорухливій системі вперше, дозволив розрахувати значення спінового розщеплення <$E DELTA~=~1,07> меВ та константи взаємодії <$E F sub 0 sup sigma~=~-0,12>, які є узгодженими з одержаними раніш результатами.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.19 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського